今年全国两会政府工作报告中，集成电路被正式确立为国家六大新兴支柱产业之首，体现了国家对半导体产业的高度重视。在全球半导体产业链加速重构背景下，中国半导体产业正经历从“补短板”到“提性能”的战略转变。青岛思锐智能科技股份有限公司（以下简称“思锐智能”）凭借在原子层沉积设备（ALD）与离子注入机（IMP）领域的双线布局，已成为当前赛道内少数实现关键技术自主突破的装备供应商，在这一产业变革中占据着独特的战略地位。近日，集微网专访思锐智能研发总监，深入探讨思锐智能如何凭借其在ALD和IMP设备领域的技术积累与创新突破，助力中国半导体产业创新发展。

助力产业创新：立足当下布局未来

当前全球半导体市场正在加速扩容。世界半导体贸易统计组织WSTS最新预测，2026年全球半导体市场规模将达9750亿美元，逼近万亿美元大关。这一增长并非传统周期性反弹的简单重复，而是由人工智能技术驱动的结构性变革。叠加中国半导体国产化进程加速，这为我国半导体设备企业带来前所未有的发展机遇。

在此进程中，思锐智能紧抓国产替代机遇，支撑国内晶圆厂工艺研发与产业升级，前瞻布局下一代工艺创新赛道。依托ALD、离子注入核心自主技术突破，公司装备实现标准化量产与规模化交付，成功纳入主流半导体制造供应链。凭借核心自主可控技术、稳定设备效能与优质技术服务，思锐智能为客户提供一体化工艺解决方案，持续强化自研装备在产业链的配套价值与产业化落地能力。思锐智能在中国半导体产业发展进程中所发挥的作用不止于国产替代。针对全球客户新工艺开发的探索需求，思锐智能提供全谱系ALD、离子注入装备的一体化工艺支撑，既能全力支持现有工艺的规模化生产，也能以国际主流前代工艺为基准，助力用户完成下一代工艺的验证工作。作为拥有全球客户拓展能力的半导体装备生产制造商，思锐智能及海外子公司业务范围已覆盖全球40个国家及地区，累计服务超过500个全球客户。

当前半导体技术正朝着3D堆叠和新材料方向快速演进，这既为整个行业带来严苛的技术挑战，也孕育着广阔的市场机会。在3D堆叠、新材料等新兴领域，国内外装备技术差距处于同步研发、并行探索阶段，部分细分领域已形成差异化技术优势。以ALD装备在碳化硅功率器件中的适配场景为例，伴随深沟槽结构在第三代器件中的普及，ALD技术在沟槽薄膜生长均匀性、致密性上，相较传统CVD、PVD工艺具备显著适配优势。思锐智能较早布局该前沿方向，已完成基础技术储备与工艺验证，逐步构建可落地的核心技术壁垒，为后续全球化市场配套筑牢坚实基础。依托长期技术积淀，思锐智能核心装备在国内半导体产业升级配套进程中，正发挥愈发关键的支撑作用。

思锐智能专家指出，在国内晶圆制造的创新研发环节，本土装备企业具备显著的协同适配与快速响应优势。整体来看，工艺优化需求主要分为两类：一是现有工艺平台内的精细化迭代升级；二是全新架构、全新材料驱动的原创工艺开发。在高频精细化工艺迭代场景下，思锐智能深度联动客户开展软硬件定制化开发，精准适配各类新型工艺落地应用；面向前沿原创工艺前瞻研发，依托完备的定制化技术支撑体系，可提供高适配、全流程的研发与量产配套服务。公司与客户联合研发的协同模式，既能高效加速先进制程技术迭代落地，亦可推动核心装备持续贴合产业市场化需求，稳步构建“研发—应用—优化”闭环技术生态。

ALD设备：适配3D堆叠与新材料演进需求

原子层沉积技术广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件等各类半导体产品的制造，其设备性能与芯片集成度、性能与可靠性密切相关。3D堆叠和新材料应用对ALD设备的适配能力、控制精度都提出了更为严苛的需求与挑战。

在3D堆叠技术领域，逻辑芯片往往要在“不超过10nm空间内堆叠多种不同组分材料”，其中沉积厚度控制精度、材料组分控制精度都是关键痛点。设备精度不足极易出现组分偏差、厚度不均等问题，进而影响芯片的电学性能与稳定性。在新材料应用层面，ALD设备面临的挑战同样严峻。例如IGZO等多元复合材料，未来在先进存储、3DDRAM领域的应用将日益广泛，这类材料的多元复合特性，要求ALD设备必须实现超高精度配比调控能力，保障薄膜参数稳定达标。碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料的产业化提速，也推动ALD装备持续完成工艺兼容、生产效率提升等专项技术升级。

思锐智能深耕ALD领域，构建了完整的技术体系，累计拥有近400项全球专利族群，形成覆盖多工艺节点、主流核心场景的全谱系ALD产品线，可满足客户多元化工艺需求。公司攻克高精度沉积控制、复合材料适配等关键难点，设备指标达到国际先进水平，深度适配前沿制程应用。

ALD Transform

离子注入机：实现高壁垒赛道下的核心技术攻坚

离子注入设备是实现芯片掺杂、材料改性等关键工艺的核心支撑，技术壁垒极高，核心难点集中在三大层面：

其一，整机系统极其复杂，数千种零部件协同配合实现整机功能。离子源作为设备“心脏”，需持续实现高纯度、高束流、长寿命稳态输出，精准管控离子品类、保障束流全域均匀。受束流传输与控制系统架构繁杂、调控参数多元的刚性瓶颈制约，大幅提升了工艺参数全域协同控制难度。同时，高压绝缘、污染防护等特种材料自研与精密成型制造，长期属于行业攻坚难点。

其二，离子束传输与聚焦控制难度突出。设备需在超高真空环境下完成离子束长距离精准传导、定点聚焦，适配多工艺节点、多尺寸晶圆量产需求。受工艺端缺失无损实时直检手段这一核心技术瓶颈制约，隐性工艺风险突出，倒逼束流传输与聚焦控制系统必须实现极致精度与绝对稳定性，同时为机械加工公差、智能控制响应精度确立行业顶尖标准。

其三，量产级可靠性、安全性与一致性管控难度极高。量产端需支撑7×24小时连续稳定运行，实现全批次工艺参数精准复刻。核心部件耐久性、系统兼容性与故障自愈能力需对标国际标准。同时设备自带毒气、高压、电离辐射等危险源，安全防护技术门槛严苛。双重要求之下，唯有依托核心自主研发与量产数据持续迭代优化，方能保障设备稳定交付。

攻克离子注入机核心技术，对保障产业链安全意义重大。思锐智能坚持高强度持续研发投入与专项技术攻坚，选择率先攻克难度最高的高能离子注入机并深耕，先后攻克离子源、束流传输聚焦等核心技术卡点，在束流均匀性、整机运行稳定性、量产可靠性等关键性能指标上实现对标国际先进水平。

公司持续加码重资产科研布局，自主搭建专业实验验证平台与工艺量测实验室，构建全流程自研、自测迭代的技术体系；深度联动终端客户开展联合工艺开发与量产适配，依托真实工况持续打磨优化技术参数，实现核心装备与客户工艺需求的协同升级。产品端，思锐智能已完成硅基及化合物半导体领域全系列离子注入机的研发与验证，搭建完整产品矩阵，覆盖高能、大束流、中束流等全品类机型，可满足从成熟工艺到先进工艺、逻辑芯片到存储芯片、硅基芯片到第三代半导体器件的多元化应用需求。

目前，企业自研高能离子注入机、大束流注入机已实现批量落地交付。依托自研核心架构与极致工艺性能，设备通过严苛量产工况的长期验证，关键指标达到行业标杆水平，持续获得头部客户规模化量产导入，充分印证了公司核心技术壁垒、设备稳定性及量产适配能力，助力思锐智能稳居行业领先梯队。

SRII 高能离子注入机

AI赋能：推动半导体设备的智能化升级

在半导体设备高速迭代的行业格局下，底层软件的自主可控与智能化升级，已成为决定装备精度、运行效率与场景适配能力的核心关键。思锐智能坚持软件自主开发，构建涵盖控制程序、工艺算法、数据分析的完整体系，实现软硬件深度协同、同步迭代，充分释放硬件性能潜力，同时可快速响应客户定制化开发与现场调试需求，具备极强的场景适配与拓展能力。

公司精准把握AI技术向半导体制造深度渗透的行业趋势，积极探索其在高端装备领域的落地价值。AI不仅是突破传统设备效率与精度瓶颈的重要手段，更为客户前沿工艺创新提供全新支撑。目前，思锐智能的AI应用已落地于参数优化、工艺预测、状态监控、辅助调试四大核心场景。

工艺优化层面，基于海量运行数据训练智能模型，快速匹配最优工艺参数组合，有效提升量产效率；针对3D堆叠、新材料制程等复杂工艺，依托AI算法降低调试门槛、减少人工干预，加速先进工艺落地应用。

智能运维层面，依托全量运行数据搭建智能分析模型，实现故障精准预警与定向运维建议，有效降低停机风险，保障装备长期高效稳定运行。

未来，思锐智能将持续加码AI技术研发，深化智能运维算法迭代，进一步提升故障响应时效；同时结合3D架构与第三代半导体研发需求，拓展前沿制程的智能化辅助能力。公司将深度融合物理仿真与数字建模，打造“智能装备+原生软件+定制化服务”一体化解决方案，持续巩固在ALD、IMP及装备智能化领域的技术领先优势。

思锐智能在ALD、IMP以及智能化技术方面的探索与积累，并非单纯的技术突破，而是源于对产业趋势与客户需求的深度洞察。未来，思锐智能将持续加大研发投入，聚焦核心技术迭代升级，优化全谱系装备的场景适配能力，深化产业链协同研发，全方位支撑半导体产业从产能配套向高端技术引领的长效转型。

来源: 爱集微